Технический паспорт Поисковая и бесплатно техническое описание Скачать
русский
▼
English
한국어
日本語
简体中文
español
Номер в каталоге
Компоненты Описание
P/N + Описание + Поиск контента
Ключевые слова :
Номер в каталоге(s) :
18N20A
KIA Semiconductor Technology
Компоненты Описание :
18A,
200V
N-CHANNEL
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
KIA6720N
KIA Semiconductor Technology
Компоненты Описание :
18A,
200V
N-CHANNEL
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF240 IRF240-243 IRF241 IRF242 IRF243 IRF640 IRF641 IRF642 IRF643 IRF640-643
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
N-Channel Power
MOSFET
s,
18A
, 150-200V
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF640
First Components International
Компоненты Описание :
18A
200V
N CHANNEL POWER
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
FDP18N20F FDPF18N20FT
Fairchild Semiconductor
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
200V
,
18A
, 0.14Ω
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF640FP
First Components International
Компоненты Описание :
18A
200V
N CHANNEL POWER
MOSFET
вид
Номер в каталоге(s) :
BUX41N
Semelab - > TT Electronics plc
Компоненты Описание :
Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF240
Semelab - > TT Electronics plc
Компоненты Описание :
N–CHANNEL POWER
MOSFET
FOR HI–REL APPLICATIONS
(Rev - V2)
вид
Номер в каталоге(s) :
2SK3160 K3160
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
STD10NF30
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
2SK3003 K3003
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
RCX160N20
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
IRF640
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
TK15A20D
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
IRFS640
SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
Номер в каталоге(s) :
EMDA2N20F
Excelliance MOS Corp.
Компоненты Описание :
N‐Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
BLF8G22LS-
200V
BLF8G22LS-200GV
NXP Semiconductors.
Компоненты Описание :
Power LDMOS transistor
вид
Номер в каталоге(s) :
CEDF640 CEUF640
Chino-Excel Technology
Компоненты Описание :
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
(Rev - Old_V)
вид
Номер в каталоге(s) :
CEPF640 CEBF640
Chino-Excel Technology
Компоненты Описание :
N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
(Rev - 1998)
вид
Номер в каталоге(s) :
CEPF640
Unspecified
Компоненты Описание :
N-Channel
MOSFET
uses advanced trench technology
вид
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Next
All Rights Reserved© datasheetbank.com [
Privacy Policy
] [
Request Datasheet
] [
Contact Us
]